Транзистор без пакет - Голямата енциклопедия на нефта и газа, статия, страница 1
Безкорпусен транзистор
Безпакетните транзистори на филмовите ИС са напълно сходни по структура със структурите на биполярни или полеви транзистори на полупроводникови ИС. Всички изводи, както в микросхемата, са направени от предната страна на кристала. [2]
Безпакетните транзистори се използват широко в микросхеми със запечатан хибриден филм. Пленарните транзистори се изработват в пластмасови кутии. [3]
Безпакетните транзистори за GIS обикновено се произвеждат на базата на транзисторни структури, произведени за пакетирани версии на устройства. По отношение на максималното разсейване на мощността и максималната стойност на колекторния ток, разопакованата версия отстъпва на опакованото устройство средно 10 пъти. [4]
Безпакетните транзистори се предлагат като единични устройства и под формата на сглобки, направени в един чип. Сглобките могат да съдържат два, четири, шест или повече взаимно изолирани или свързани по определен начин транзистора. [5]
Кристалът на безрамков транзистор има малки размери (например 0 6 X 0 6 mm), поради което след производството устройството се поставя в специална пластмасова обвивка с масивни външни проводници. [6]
Електрическите параметри на безпакетните транзистори са близки до тези на конвенционалните транзистори (с по-малки размери и тегло), но поради малкия си размер безпакетните транзистори работят в тежки термични условия и са много критични към температурни промени. [8]
Според дизайна се разграничават корпусни и безрамкови транзистори, последните се използват в хибридни интегрални схеми и микросглобки и могат да имат гъвкави или твърди проводници. [9]
Биполярните транзистори на микросхемите са разделени набезкорпусни транзистори (компоненти) на хибридни микросхеми и транзистори на полупроводникови микросхеми, интегрирани в общ субстрат. Полупроводниковите структури на безкорпусните транзистори са подобни на структурите на транзистори със същото предназначение, затворени в пакет. Структурите на транзисторите на полупроводниковите микросхеми имат значителни разлики. Те се обсъждат в тази глава. [10]
В безпакетни филмови микросхеми се използват малогабаритни безпакетни транзистори и микрорезистори в стъклена изолация. [единадесет]
Така наречените безпакетни транзистори, предназначени за използване в микросхеми и микросглобки, стават все по-широко разпространени. Кристалите на такива транзистори са защитени със специално покритие, но то не осигурява допълнителна защита от влиянието на околната среда. Защитата се постига чрез цялостното запечатване на целия чип. [12]
Като шарнирни активни елементи се използват безпакетни транзистори, в които полупроводниковите кристали са защитени от външни фактори поради методите за пасивиране на тяхната повърхност и запечатване с помощта на специални защитни покрития. [14]
В микросхемите с хибриден филм активните елементи са прикрепени безкорпусни транзистори или цели безкорпусни полупроводникови микросхеми. Сложността на тяхното инсталиране е доста висока, така че броят на такива елементи се стреми да бъде ограничен. [15]